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功率半導體需求旺 預計2030年SiC增長10倍,GaN翻至60倍

漁翁先生 ? 來源:電子發燒友網 ? 作者:Allen Yin 編譯 ? 2019-06-25 11:22 ? 次閱讀

據日本富士經濟(Fuji Keizai)6月發布功率半導體全球市場的報告預估,汽車,電氣設備,信息和通信設備等領域對下一代功率半導體(SiC和GaN)需求的預計將增加。預計2030年(與2018年相比)SiC成長10倍,GaN翻至60倍,Si增長45.1%。

該機構指出,SiC功率半導體市場主要在中國和歐洲擴張,從2017年~2018年,SiC增長41.8%至3.7億美元。目前,SiC-SBD(肖特基勢壘二極管)占70%,并且主要在信息和通信設備領域需求增加。6英寸晶圓的推出使得成本降低,預計將進一步增長。此外,SiC-FET(場效應晶體管)主要在汽車和電氣設備領域大大擴展。

海外汽車制造商計劃在2022年左右將SiC功率半導體用于驅動逆變器模塊,預計汽車和電氣元件的需求將增加。尤其是歐洲和中國的需求領先,大型商用車和豪華車的采用正在擴大,預計將在2025年左右主流車輛開始采用。目前,Si功率半導體被用于驅動逆變器模塊,車載充電器和DC-DC轉換器,但預計將被SiC功率半導體取代。在鐵路車輛領域,對新型高速車輛的需求正在增加,并且在工業領域中,預期將在大功率設備相關應用中比較常見。

雖然市場一直在放緩,但由于未來的高耐壓,預計GaN功率半導體將主要在汽車和電氣元件領域得到廣泛采用。與SiC功率半導體相比,目前市場擴張速度緩慢,入門級制造商預計2022年需求將全面增長。

由于GaN功率半導體在高速開關性能方面具有優勢,因此對于信息通信設備領域中的基站電源和用于虛擬貨幣交易的采礦服務器電源的需求預計會增加。在汽車和電氣設備領域,對于配備有用于EV和高頻脈沖電源電路的無線電源的機床和醫療設備,預計需求將增加。在消費電子領域,高端音頻,無線供電系統和AC適配器很有前景。

在安裝GaN功率半導體時,改變用戶側的電路設計需要是擴散的障礙之一。然而,隨著控制電路集成到IC中的封裝產品開發正在進行中,預計未來的采用將會增加。由于大規模生產導致價格下降和高擊穿電壓進展,預計采用的應用將會擴大。

基于氧化鎵的功率半導體市場預計將于2019年全面推出,屆時主要制造商將主要生產SBD。此外,FET的樣品出貨時間安排在2020年左右,預計其實際使用將在此后進行。在大規模生產之初,預計將在消費設備領域采用電源。最初,計劃開發600V和10A產品,但從現在開始,由于電流值的提高,預計應用擴展到工業領域。

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NLSX4378A 電平轉換器 4位 24 Mbps 雙電源

NLSX4401DFT2G 1位20 Mb / s雙電源電平轉換器

01是一款1位可配置雙電源雙向自適應傳感轉換器,不需要方向控制引腳.I / O VCC和I / O VL端口分別用于跟蹤兩個不同的電源軌,VCC和VL 。 VCC和VLsupply軌道均可配置為1.5 V至5.5 V.這樣,VL側的電壓邏輯信號可在VCC側轉換為更低,更高的等值電壓邏輯信號,反之亦然.NLSX4401轉換器已集成I / O線上有10 k上拉電阻。集成的上拉電阻用于將I / O線上拉至VL或VCC。 NLSX4401非常適合開放式應用,如I2C通信總線。 特性 VL可以小于,大于或等于VCC 寬VCC工作范圍:1.5 V至5.5 V 寬VL工作范圍:1.5 V至5.5 V 高速,24 Mb / s保證日期速率 低位偏斜 啟用輸入和I / O引腳是過壓容差(OVT)以使能輸入和I / O引腳是過壓容差(OVT)至5.5 V 非優先通電排序 斷電保護 應用 終端產品 I2C,SMBus,PMBus 低壓ASIC級別轉換 手機,相機,消費品 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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NLSX4401DFT2G 1位20 Mb / s雙電源電平轉換器

NLU1GT125 單個非反相緩沖器 3態

125 MiniGate?是一款先進的CMOS高速非反相緩沖器,占用空間極小。 NLU1GT125要求將3狀態控制輸入()設置為高,以將輸出置于高阻態。器件輸入與TTL型輸入閾值兼容,輸出具有完整的5.0 V CMOS電平輸出擺幅。無論電源電壓如何,當施加高達7.0伏的電壓時,NLU1GT125輸入和輸出結構都能提供保護。 特性 高速:t PD = 3.8 ns(典型值)V CC = 5.0 V 低功耗:I CC =1μA(Max),TA = 25°C TTL兼容輸入:V IL = 0.8 V; V IH = 2.0 V 輸入時提供斷電保護 平衡傳播延遲 超小無鉛封裝 應用 ASIC FixesSimplified PCB RoutingGlue LogicSystem IntegrationVoltage Translation 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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NLU1GT125 單個非反相緩沖器 3態

FSA839 低壓 帶關斷隔功能的0.8Ω單刀雙擲(SPDT)模擬開關

是高性能的單刀雙擲(SPDT)模擬開關,用于由低電壓(1.8V)基帶處理器或ASIC驅動的音頻應用。該器件在V CC = 4.5 V時具有0.8Ω(最大值)的超低R ON ,可在1.65V到5.5V的寬V CC 范圍內工作。該器件采用亞微米CMOS FSA839在低電壓ASIC和常規的音頻放大器之間連接,CODEC在高達5.5V的工作電壓范圍內運行。控制電路允許控制引腳(Sel)上提供1.8V(典型值)信號。 應用 多媒體平板電腦 存儲和外設 手機 WLAN網卡和寬帶接入 PMP / MP3播放器 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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FSA839 低壓 帶關斷隔功能的0.8Ω單刀雙擲(SPDT)模擬開關

NXH240B120H3Q1 功率集成模塊(PIM)3通道1200 V IGBT + SiC升壓 80 A IGBT和20 A SiC二極管

B120H3Q1PG是一款3通道1200 V IGBT + SiC Boost模塊。每個通道包括一個快速開關80 A IGBT,一個20 A SiC二極管,一個旁路二極管和一個IGBT保護二極管。該模塊具有內置熱敏電阻并具有壓配銷。 特性 優勢 1200 V快速開關IGBT 降低IGBT的開關損耗可實現更高的fsw和更緊湊的設計 1200 SiC二極管 降低二極管的開關損耗可實現更高的fsw和更緊湊的設計 低Vf旁路二極管 提高旁路模式的效率 壓合銷 無焊接安裝 應用 終端產品 太陽能逆變器升壓階段 分散式公用事業規模太陽能逆變器 商業串式逆變器 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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NXH240B120H3Q1 功率集成模塊(PIM)3通道1200 V IGBT + SiC升壓 80 A IGBT和20 A SiC二極管

NXH80B120H2Q0 功率集成模塊 雙升壓 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 15 A SiC二極管

120H2Q0SG是一款功率集成模塊(PIM),包含一個雙升壓級,由兩個40A / 1200V IGBT,兩個15A / 1200V SiC二極管和兩個用于IGBT的25A / 1600V反并聯二極管組成。另外還包括兩個用于浪涌電流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一個板載熱敏電阻。 特性 優勢 IGBT規格:VCE(SAT)= 2.2 V,ESW = 2180 uJ 具有低VCE(SAT)的快速IGBT以實現高效率 25 A / 1600 V旁路和反并聯二極管 低VF旁路二極管,在旁路模式下具有出色的效率 SiC整流器規格:VF = 1.4 V 用于高速切換的SiC二極管 可焊接引腳 輕松安裝 雙升壓40 A / 1200 V IGBT + SiC整流器混合模塊 熱敏電阻 應用 終端產品 太陽能逆變器升壓階段 太陽能逆變器 UPS 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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NXH80B120H2Q0 功率集成模塊 雙升壓 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 15 A SiC二極管

NXH100B120H3Q0 功率集成模塊 雙升壓 1200 V 50 A IGBT + 1200 V 20 A SiC二極管

B120H3Q0是一款功率集成模塊(PIM),包含一個雙升壓級,由兩個50A / 1200V IGBT,兩個20A / 1200V SiC二極管和兩個用于IGBT的25A / 1600V反并聯二極管組成。另外還包括兩個用于浪涌電流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一個板載熱敏電阻。 特性 優勢 IGBT規格:VCE(SAT)= 1.77 V,ESW = 2200 uJ 具有低VCE(SAT)的快速IGBT以實現高效率 25 A / 1600 V旁路和反并聯二極管 低VF旁路二極管,在旁路模式下具有出色的效率 SiC整流器規格:VF = 1.44 V 用于高速開關的SiC二極管 焊針和壓合銷選項 靈活安裝 應用 終端產品 MPPT提升階段 Bat tery Charger Boost Stage 太陽能逆變器 儲能系統 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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NXH100B120H3Q0 功率集成模塊 雙升壓 1200 V 50 A IGBT + 1200 V 20 A SiC二極管

FPF2G120BF07AS 具有NTC的F2,3ch升壓模塊

一種快速,可靠的的安裝方式。 特性 高效率 低傳導損耗和開關損耗 高速場截止IGBT SiC SBD用作升壓二極管 內置NTC可實現溫度監控 電路圖、引腳圖和封裝圖
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FPF2G120BF07AS 具有NTC的F2,3ch升壓模塊

NCP566 LDO穩壓器 1.5 A 超高PSRR 具有快速瞬態響應

低壓差(LDO)線性穩壓器將在固定輸出電壓下提供1.5 A電流。快速環路響應和低壓差使該穩壓器非常適用于低電壓和良好負載瞬態響應非常重要的應用。器件保護包括電流限制,短路保護和熱關斷。 NCP566采用SOT-223封裝。 特性 超快速瞬態響應(
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NCP566 LDO穩壓器 1.5 A 超高PSRR 具有快速瞬態響應

NCP3284 4.5V至18V 30A高效率 DC / DC轉換器 采用耐熱增強型5mm x 6mm封裝

4是一款30A POL,適用于在小型電路板占板面積內要求高效率的應用。該器件將DC / DC控制器與兩個高效mosfet集成在一個采用熱增強型5mm x 6mm QFN封裝的信號中。它采用獲得專利的增強型斜坡脈沖調制控制架構,可提供超快的負載瞬變,從而減少外部電容和/或提供更好的瞬態容差。與傳統的恒定時間控制器相比,新架構還改進了負載調節。 特性 優勢 效率高 減少電力損失 快速裝載瞬態 減少輸出電容的數量 頻率選擇 優化效率和輸出濾波器尺寸的權衡 0.6%準確參考 允許非常精確的輸出電壓 遠程感知 提供準確的輸出電壓 啟用輸入和電力良好指標 二手用于控制排序 可調節電流限制 低電流設計的靈活性 可調節軟啟動 允許控制開啟坡道 熱增強型QFN封裝 改善散熱 指定-40C至125C 應用 終端產品 服務器 網絡 電信 ASICs servere 存儲 網絡 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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NCP3284 4.5V至18V 30A高效率 DC / DC轉換器 采用耐熱增強型5mm x 6mm封裝

NCP3233 降壓轉換器工作電壓范圍為3V至21V 最高可達20A

3是一款20A降壓轉換器(內置MOSFET),工作電壓范圍為3V至21V,無需外部偏置。該固定式變頻器具有高效率,可調節輸出以提供低至0.6V的電壓。可調電流限制允許器件用于多個電流水平。該器件采用耐熱增強型6mm x 6mm QFN封裝,高效電壓模式同步降壓轉換器,工作電壓為3 V至21 V,輸出電壓低至0.6 V,最高25 A DC負載或30 A瞬時負載。 特性 優勢 寬輸入電壓范圍為3V至21V 允許同一器件用于3.3V,5V和12V母線 300kHz,500kHz和1MHz開關頻率 用戶可選擇的選項,允許在效率和解決方案尺寸之間進行優化權衡 無損耗低側FET電流檢測 提高效率 0.6V內部參考電壓 低壓輸出以適應低壓核心 外部可編程軟啟動 降低浪涌電流并防止啟動時出現無根據的過電流 預偏置啟動 防止反向電流流動 所有故障的打嗝模式操作 如果故障情況消除,則允許重新啟動 可調輸出電壓 靈活性 可調節電流限制 優化過流條件。允許較低飽和電流的較小電感器用于較低電流應用 輸出過壓保護和欠壓電壓保護 應用 終端產品 高電流POL應用 AS...
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NCP3233 降壓轉換器工作電壓范圍為3V至21V 最高可達20A

NCP3231A 高電流同步降壓轉換器

1A是一款高電流,高效率電壓模式同步降壓轉換器,工作電壓為4.5 V至18 V,輸出電壓低至0.6 V,最高可達25 A. 特性 優勢 寬輸入電壓范圍4.5V至18V 支持廣泛的應用 500KHz開關頻率 需要小電感和少量輸出電容 無損耗低端FET電流檢測 良好的散熱性能 0.6V內部參考電壓 外部可編程軟啟動 輸出o電壓和欠壓保護 使用熱敏電阻或傳感器通過OTS引腳進行系統過熱保護 所有故障的打嗝模式操作 預偏置啟動 可調節輸出電壓 電源良好指示燈 內部過熱保護 應用 終端產品 采用6x6 QFN封裝的25A穩壓器 ASIC,FPGA,DSP和CPU內核及I / O電源 移動電話基站 電信和網絡設備 服務器和存儲系統 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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NCP3231A 高電流同步降壓轉換器

NCP3231B 高電流 1MHz 同步降壓轉換器

1B是一款高電流,高效率電壓模式同步降壓轉換器,工作電壓為4.5 V至18 V,輸出電壓低至0.6 V,最高可達25 A. 特性 優勢 寬輸入電壓范圍4.5V至18V 支持廣泛的應用 1MHz開關頻率 需要小電感和少量輸出電容 無損耗低端FET電流檢測 良好的散熱性能 0.6V內部參考電壓 外部可編程軟啟動 輸出ove r電壓和欠壓保護 使用熱敏電阻或傳感器通過OTS引腳進行系統過熱保護 所有故障的打嗝模式操作 預偏置啟動 可調節輸出電壓 電源良好指示燈 內部過熱保護 應用 終端產品 采用6x6 QFN封裝的25A穩壓器 ASIC,FPGA,DSP和CPU內核及I / O電源 移動電話基站 電信和網絡設備 服務器和存儲系統 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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NCP3231B 高電流 1MHz 同步降壓轉換器

NCP3231 高電流同步降壓轉換器

1是一款高電流,高效率電壓模式同步降壓轉換器,工作電壓為4.5 V至18 V,輸出電壓低至0.6 V,最高25 A DC負載或30 A瞬時負載。 特性 優勢 寬輸入電壓范圍4.5V至18V 支持廣泛的應用 500KHz開關頻率 需要小電感和少量輸出電容 無損耗低 - 側FET電流檢測 提高效率 0.6V內部參考電壓 外部可編程軟啟動 輸出過壓保護和欠壓保護 使用熱敏電阻或傳感器進行系統過熱保護 所有故障的打嗝模式操作 預偏置啟動 可調節輸出電壓 電力良好輸出 內部過熱保護 應用 終端產品 采用6x6 QFN封裝的25A穩壓器 ASIC,FPGA,DSP和CPU內核及I / O電源 移動電話基站 電信和網絡設備 服務器和存儲系統 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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NCP3231 高電流同步降壓轉換器

NCP1592 同步降壓穩壓器 PWM 6.0 A 集成FET

2是一款低輸入電壓,6 A同步降壓轉換器,集成了30mΩ高側和低側MOSFET。 NCP1592專為空間敏感和高效應用而設計。主要特性包括:高性能電壓誤差放大器,欠壓鎖定電路,防止啟動直到輸入電壓達到3 V,內部或外部可編程軟啟動電路,以限制浪涌電流,以及電源良好的輸出監控信號。 NCP1592采用耐熱增強型28引腳TSSOP封裝。 特性 30mΩ,12 A峰值MOSFET開關,可在6 A連續輸出源或接收器處實現高效率電流 可調節輸出電壓低至0.891 V,準確度為1.0% 寬PWM頻率:固定350 kHz,550 kHz或可調280 kHz至700 kHz 應用 終端產品 低壓,高密度分布式電源系統 FPGA 微處理器 ASICs 便攜式計算機/筆記本電腦 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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NCP1592 同步降壓穩壓器 PWM 6.0 A 集成FET

NCP3230 DC / DC轉換器 4.5 V至18 V 30 A.

C轉換器采用耐熱增強型6mm x 6mm QFN封裝,可提供高達30 A的電流。 特性 優勢 效率高 降低功耗并減少散熱問題 4.5 V至18 V輸入范圍 允許使用5 V或12 V母線進行操作 綜合mosfets 簡化設計并提高可靠性 可調節軟啟動時序,輸出電壓 設計靈活性 過壓,欠壓和過流保護 安全啟動到預偏置輸出 應用 終端產品 高電流POL應用 為asics,fpga和DSP供電 基站 服務器和存儲 網絡 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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NCP3230 DC / DC轉換器 4.5 V至18 V 30 A.

NCP3235 4.5 V至21 V 集成MOSFET的DC / DC轉換器

5是一款帶內部MOSFET的15 A DC / DC轉換器,設計靈活。該器件可提供低至0.6V至輸入電壓80%以上的可調輸出電壓。功能包括可調電流限制,輸出電壓和軟啟動時序。引腳可選功能可實現550 kHz或1 MHz的開關頻率,選擇DCM / CCM工作模式,以及在過流期間鎖定或打嗝模式的能力。該器件可配置為在超聲模式下工作,以避開音頻帶。該器件采用耐熱增強型6mm x 6mm TQFN封裝。 特性 優勢 準確0.6 V參考 可調輸出以設置所需電壓低至0.6 V DCM / CCM可選擇選項 在不連續模式下操作以在輕負載下提高效率 550kHz / 1.1MHz開關頻率 選擇更高效率或更小輸出濾波器的設計靈活性 超聲波模式 保持電容器不發出聲音 熱增強型QFN封裝 3個裸露焊盤散布更高 4.5 V至21 V的寬工作范圍 允許跨多個應用程序使用 可調軟啟動 允許在通電期間平穩上升 應用 終端產品 計算/服務器 數據通信/網絡 FGPA,ASIC,DSP電源 12 V負載點 桌面 服務器 網絡 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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NCP3235 4.5 V至21 V 集成MOSFET的DC / DC轉換器
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